삼성전자, 차세대 메모리 12나노급 D램 세계 첫 양산

오늘은 삼성전자의 최신 기술 소식을 전해드리려고 합니다. 삼성전자는 업계 최선단 12 나노급 공정으로 16기가 비트(Gb) DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔습니다. 이는 업계 최초로 회로 선폭이 12 나노미터(㎚) 대인 D램의 양산에 성공한 것입니다. 이번에 양산된 D램은 고성능과 저전력을 동시에 구현한 차세대 메모리 제품으로, 데이터센터·AI·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 적용될 예정입니다.

12 나노급 D램이란?

D램(Dynamic Random Access Memory)은 컴퓨터나 스마트폰 등의 전자기기에서 데이터를 임시로 저장하고 처리하는 메모리입니다. D램은 데이터를 읽고 쓰는 속도가 빠르고 용량이 크지만, 전원이 꺼지면 데이터가 사라지는 휘발성 메모리입니다. 반면에 플래시 메모리는 전원이 꺼져도 데이터가 유지되는 비휘발성 메모리입니다.

 

D램의 성능과 용량은 공정 기술의 발전에 따라 향상됩니다. 공정 기술이란 반도체 칩을 만들 때 회로의 선폭을 얼마나 작게 만들 수 있는지를 나타내는 기술입니다. 선폭이 작아지면 칩의 크기가 줄어들고, 한 칩에 들어가는 회로의 수가 늘어납니다. 이렇게 되면 칩의 성능이 향상되고, 전력 소모가 감소하며, 생산 비용도 절감됩니다.

 

12나노급 공정은 5세대 10 나노급 공정을 의미합니다. 삼성전자는 자사의 미세 공정 기술력을 강조하기 위해 '12 나노’라는 구체적 선폭을 공개했습니다. 삼성전자의 12 나노급 D램은 최선단 기술을 적용해 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상되었으며, 소비 전력은 약 23% 개선되었습니다.

어떤 기술이 적용되었나?

삼성전자는 12나노급 D램에 다양한 기술을 적용했습니다. 가장 중요한 것은 유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘린 것입니다. 커패시터는 D램에서 데이터를 저장하는 부품으로, 커패시터에 저장된 전하로 1과 0을 구분합니다. 커패시터 용량이 커지면 데이터 구분이 명확해지고 데이터가 확실하게 구분되어 오류가 발생하지 않습니다.

 

또한, 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용했습니다. 이러한 기술들은 D램의 속도와 안정성을 높여줍니다.

어떤 장점이 있나?

삼성전자의 12나노급12 나노급 D램은 DDR5 규격을 따릅니다. DDR5는 DDR4보다 최대 2배 빠른 속도와 최대 4배 큰 용량을 지원하는 차세대 D램 규격입니다. 삼성전자의 12 나노급 D램은 최고 동작 속도가 7.2 Gbps(초당 기가비트)로, 이는 1초에 30기가바이트(GB) 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도입니다.

 

또한, 삼성전자의 12나노급 D램은 저전력으로 고효율적인 연산을 가능하게 합니다. 소비 전력이 약 23% 개선되어 데이터센터 등을 운영하는 데 있어 전력 운영 효율을 높일 수 있습니다. 이는 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 적극 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에게 최상의 솔루션이 될 것으로 기대됩니다.

어디에 사용될까?

삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 확대해 데이터센터·AI·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획입니다. 특히, 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장에서 고성능과 고용량을 확보할 수 있습니다.

 

삼성전자는 이미 지난해 12월 AMD 플랫폼 기반 호환성 검증을 마치고 글로벌 IT 기업들과의 협력을 통해 차세대 D램 시장을 견인하고 있습니다. 앞서 2020년 3월 업계 최초로 극자외선(EUV) 공정을 적용한 D램을 양산했고, 2021년 업계 최선단 14 나노 EUV DDR5 D램을 양산하는 등 과감한 투자와 기술 혁신을 기반으로 반도체 미세화를 주도하고 있습니다.

오늘은 삼성전자의 최첨단 12나노급 D램 양산에 대해 알아보았습니다. 삼성전자는 업계 최선단 공정과 기술로 고품질의 제품을 만들어내고 있으며, 다가올 상승 국면에 대비하고 있습니다. 이는 삼성전자의 놀라운 업적이며, 반도체 산업의 새로운 패러다임을 열었다고 할 수 있습니다.

 

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